एलईडी डिस्प्लेच्या विकासासह, एलईडी डिस्प्लेचे अधिकाधिक तंत्रज्ञान आणि अनुप्रयोग शोधले गेले आहेत.
येथे मला काही नवीन तंत्रज्ञानाबद्दल बोलायचे आहेनेतृत्व प्रदर्शन.या नवीन तंत्रज्ञानातून आपण एलईडी डिस्प्लेचे ट्रेंड शिकू शकतो.हे आम्हाला चांगले निर्णय घेण्यास मदत करेल.
अरुंद-स्पेक्ट्रम OLED संशोधनाच्या क्षेत्रात एक मोठी प्रगती झाली आहे
14 ऑक्टोबर रोजी, नेचर फोटोनिक्सने OLED संशोधन क्षेत्रातील शेन्झेन विद्यापीठातील प्राध्यापक यांग चुलुओ यांच्या टीमची नवीनतम उपलब्धी ऑनलाइन प्रकाशित केली.
सैद्धांतिक 100% अंतर्गत क्वांटम कार्यक्षमता प्राप्त करण्याच्या क्षमतेमुळे थर्मली सक्रिय विलंबित प्रतिदीप्ति (TADF) सामग्री गेल्या दशकात सेंद्रिय प्रकाश-उत्सर्जक डायोड (OLED) प्रकाश-उत्सर्जक सामग्रीमध्ये संशोधनाचे हॉटस्पॉट बनले आहे.अलिकडच्या वर्षांत, मल्टिपल रेझोनान्स थर्मली सक्रिय विलंबित प्रतिदीप्ति (MR-TADF) सामग्रीमध्ये त्यांच्या अरुंद-बँड उत्सर्जन वैशिष्ट्यांमुळे हाय-डेफिनिशन डिस्प्लेमध्ये उत्तम अनुप्रयोग क्षमता आहे.
तथापि, मल्टिपल रेझोनन्स TADF मटेरियलचा रिव्हर्स इंटरसिस्टम जंपिंग रेट (kRISC) साधारणपणे मंद असतो, परिणामी उच्च ब्राइटनेसवर प्रकाश-उत्सर्जक उपकरणांच्या कार्यक्षमतेचे तीव्र क्षीणीकरण होते, ज्यामुळे संबंधित OLED उपकरणांना दोन्ही उच्च कार्यक्षमता असणे कठीण होते. आणि उच्च रंग शुद्धता.आणि कमी रोल-ऑफ.कार्यक्षमता रोल-ऑफच्या मुख्य समस्येचे निराकरण करण्यासाठी, शेन्झेन युनिव्हर्सिटीच्या प्राध्यापक यांग चुलुओ यांच्या टीमने बहुविध अनुनाद फ्रेमवर्कमध्ये नॉन-मेटलिक हेवी अणू सेलेनियम घटक एम्बेड करून BNSeSe चे संश्लेषण केले आणि जोडणी वाढविण्यासाठी हेवी अणू प्रभावाचा वापर केला. सामग्रीच्या सिंगल आणि ट्रिपलेट (S1 आणि T1) ऑर्बिटल्स दरम्यान., परिणामी अत्यंत उच्च kRISC (2.0 ×106 s-1) आणि फोटोलुमिनेसेन्स क्वांटम कार्यक्षमता (100%).
प्रकाश-उत्सर्जक लेयरची अतिथी सामग्री म्हणून BNSeSe वापरून तयार केलेल्या बाष्प-जमा केलेल्या OLED उपकरणाची बाह्य क्वांटम कार्यक्षमता 36.8% इतकी जास्त आहे आणि त्याची कार्यक्षमता रोल-ऑफ प्रभावीपणे दाबली जाते.एम-² ब्राइटनेसमध्ये बाह्य क्वांटम कार्यक्षमता अजूनही 21.9% इतकी जास्त आहे, जी इरिडियम आणि प्लॅटिनम सारख्या फॉस्फोरेसेंट सामग्रीशी तुलना करता येते.याव्यतिरिक्त, त्यांनी प्रथमच सुपरफ्लोरोसंट OLED उपकरणे अनेक अनुनाद-प्रकार TADF सामग्री वापरून संवेदनाकारक म्हणून तयार केली.पारदर्शक एलईडी उपकरणे.1000 cd m-² ब्राइटनेसमध्ये डिव्हाइसची कमाल बाह्य क्वांटम कार्यक्षमता 40.5% आणि बाह्य क्वांटम कार्यक्षमता 32.4% आहे.जरी 10,000 cd m-² ब्राइटनेसमध्ये, बाह्य क्वांटम कार्यक्षमता अजूनही 23.3% इतकी जास्त आहे, कमाल उर्जा कार्यक्षमता 200 lm W-1 पेक्षा जास्त आहे आणि कमाल ब्राइटनेस 200,000 cd m-² च्या जवळ आहे.
हे काम MR-TADF इलेक्ट्रोल्युमिनेसेंट उपकरणांच्या कार्यक्षमतेच्या रोल-ऑफ समस्येचे निराकरण करण्यासाठी एक नवीन कल्पना आणि एक प्रभावी मार्ग प्रदान करते, ज्यात उच्च-डेफिनिशन डिस्प्लेमध्ये उत्कृष्ट अनुप्रयोग संभावना आहेत.संबंधित परिणाम आंतरराष्ट्रीय ख्यातीच्या जर्नल नेचर फोटोनिक्स मध्ये "Efficient selenium-integrated TADF OLEDs with reduced roll-off" ("नेचर फोटोनिक्स", इम्पॅक्ट फॅक्टर 39.728, JCR डिस्ट्रिक्ट 1 चायनीज अकादमी ऑफ सायन्सेस, रँकिंग) या शीर्षकाखाली प्रकाशित करण्यात आले. ऑप्टिक्सच्या क्षेत्रात प्रथम).
USTC ने पेरोव्स्काईट LED आणि प्रकाश-उत्सर्जक उपकरण संशोधन क्षेत्रात महत्त्वपूर्ण प्रगती केली आहे
पेरोव्स्काईट मटेरियलमध्ये त्यांच्या उत्कृष्ट ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक गुणधर्मांमुळे सोलर सेल, एलईडी आणि फोटोडिटेक्टर्सच्या क्षेत्रात महत्त्वपूर्ण उपयोगाची शक्यता असते.ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या कामगिरीमध्ये फिल्म निर्मितीची गुणवत्ता आणि पेरोव्स्काईट फिल्म्सची मायक्रोस्ट्रक्चर महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.पेरोव्स्काईटच्या पृष्ठभागावर तयार झालेली नॅनोस्ट्रक्चर पातळ फिल्मच्या पृष्ठभागावर फोटॉन्सचे विखुरणे वाढवते, पेरोव्स्काइट एलईडी उपकरणांच्या कार्यक्षमतेच्या मर्यादेत प्रगती साधते.संबंधित परिणाम प्रगत सामग्रीमध्ये "कृत्रिमरित्या तयार केलेल्या नॅनोस्ट्रक्चर्ससह पेरोव्स्काईट प्रकाश-उत्सर्जक डायोड्सच्या आउटकपलिंग मर्यादेवर मात करणे" या शीर्षकाखाली प्रकाशित केले गेले.
पेरोव्स्काईट LEDs मध्ये ट्यून करण्यायोग्य उत्सर्जन तरंगलांबी, अरुंद उत्सर्जन अर्ध-शिखर रुंदी आणि सुलभ तयारीचे फायदे आहेत.पेरोव्स्काईट LEDs ची उपकरण कार्यक्षमता सध्या प्रामुख्याने प्रकाश काढण्याच्या कार्यक्षमतेद्वारे मर्यादित आहे.म्हणून, उपकरणाची प्रकाश काढण्याची कार्यक्षमता वाढवणे ही एक अतिशय महत्त्वाची संशोधन दिशा आहे.मध्येसेंद्रिय LEDs आणि क्वांटम डॉट LEDs, फोटॉन एक्सट्रॅक्शन वाढवण्यासाठी सामान्यतः अतिरिक्त प्रकाश निष्कर्षण स्तर आवश्यक असतात, जसे की फ्लाय-आय लेन्स अॅरे, बायोमिमेटिक मॉथ-आय नॅनोस्ट्रक्चर्स आणि लो-रिफ्रॅक्टिव्ह-इंडेक्स कपलिंग लेयर्सचा वापर.तथापि, या पद्धती उपकरण निर्मिती प्रक्रिया अधिक क्लिष्ट बनवतात आणि उत्पादन खर्च वाढवतात.
जिओ झेंगगुओच्या संशोधन गटाने एक पद्धत नोंदवली जी पेरोव्स्काईट पातळ फिल्म्सच्या पृष्ठभागावर उत्स्फूर्तपणे एक टेक्सचर संरचना तयार करू शकते,आणि प्रकाश काढणे सुधारित करापेरोव्स्काइटची कार्यक्षमता
पातळ फिल्मच्या पृष्ठभागावर फोटॉन स्कॅटरिंग वाढवून LEDs.फिल्म तयार करताना, फिल्मच्या पृष्ठभागावर अँटी-सॉल्व्हेंटचा निवास वेळ नियंत्रित करून, पेरोव्स्काईटची क्रिस्टलायझेशन प्रक्रिया नियंत्रित केली जाऊ शकते, परिणामी पृष्ठभाग एक टेक्सचर बनते.1.5 μm ची सरासरी जाडी असलेल्या चित्रपटांसाठी, पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा 15.3 nm ते 241 nm पर्यंत सतत नियंत्रित केला जाऊ शकतो आणि धुके 6% वरून 90% पेक्षा जास्त वाढले आहे.
फिल्मच्या पृष्ठभागावर फोटॉन स्कॅटरिंगमध्ये वाढ झाल्यामुळे, टेक्सचर्ड स्ट्रक्चर्ससह पेरोव्स्काइट एलईडीची प्रकाश काढण्याची कार्यक्षमता प्लॅनर पेरोव्स्काइट एलईडीच्या 11.7% वरून 26.5% पर्यंत वाढली आणि संबंधित उपकरणाची कार्यक्षमता वाढली.perovskite LEDsदेखील 10% वरून वाढले.% लक्षणीय वाढून 20.5%.उपरोक्त कार्य पेरोव्स्काईट ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी लाईट-एक्सट्रॅक्टिंग नॅनोस्ट्रक्चर्स तयार करण्यासाठी एक नवीन पद्धत प्रदान करते.मायक्रो-नॅनो स्ट्रक्चर असलेली पेरोव्स्काईट फिल्म क्रिस्टलीय सिलिकॉन सोलर सेलमधील टेक्सचर्ड मॉर्फोलॉजी सारखीच आहे, ज्यामुळे पेरोव्स्काईट सोलर सेलची प्रकाश शोषण कार्यक्षमता आणि कार्यप्रदर्शन सुधारण्याची अपेक्षा आहे.
पोस्ट वेळ: नोव्हेंबर-०७-२०२२