এলইডি ডিসপ্লের বিকাশের সাথে সাথে, আরও বেশি প্রযুক্তি এবং এলইডি ডিসপ্লের প্রয়োগ আবিষ্কৃত হয়েছে।
এখানে আমি কিছু নতুন প্রযুক্তির কথা বলতে চাইLED ডিসপ্লে.আমরা এই নতুন প্রযুক্তিগুলি থেকে এলইডি ডিসপ্লের প্রবণতা শিখতে পারি।এটি আমাদের আরও ভাল সিদ্ধান্ত নিতে সাহায্য করবে।
ন্যারো-স্পেকট্রাম ওএলইডি গবেষণার ক্ষেত্রে একটি বড় অগ্রগতি হয়েছে
14 অক্টোবর, নেচার ফটোনিক্স OLED গবেষণার ক্ষেত্রে শেনজেন বিশ্ববিদ্যালয়ের অধ্যাপক ইয়াং চুলুওর দলের সর্বশেষ সাফল্য অনলাইনে প্রকাশ করেছে।
তাত্ত্বিকভাবে 100% অভ্যন্তরীণ কোয়ান্টাম দক্ষতা অর্জন করার ক্ষমতার কারণে গত দশকে তাপীয়ভাবে সক্রিয় বিলম্বিত প্রতিপ্রভ (TADF) উপকরণগুলি জৈব আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড (OLED) আলো-নিঃসরণকারী উপকরণগুলিতে একটি গবেষণার হটস্পট হয়ে উঠেছে।সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, একাধিক অনুরণন তাপগতভাবে সক্রিয় বিলম্বিত ফ্লুরোসেন্স (MR-TADF) উপকরণগুলির সংকীর্ণ-ব্যান্ড নির্গমন বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে উচ্চ-সংজ্ঞা প্রদর্শনে দুর্দান্ত প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।
যাইহোক, মাল্টিপল রেজোন্যান্স TADF ম্যাটেরিয়ালের রিভার্স ইন্টারসিস্টেম জাম্পিং রেট (kRISC) সাধারণত ধীর হয়, যার ফলে উচ্চ উজ্জ্বলতায় আলো-নিঃসরণকারী ডিভাইসগুলির দক্ষতার তীব্র ক্ষয় হয়, যা সংশ্লিষ্ট OLED ডিভাইসগুলির জন্য উভয়ই উচ্চ কার্যক্ষমতা সম্পন্ন করা কঠিন করে তোলে। এবং উচ্চ রঙের বিশুদ্ধতা।এবং কম রোল অফ.দক্ষতা রোল-অফের মূল সমস্যা সমাধানের জন্য, শেনজেন বিশ্ববিদ্যালয়ের অধ্যাপক ইয়াং চুলুও-এর দল একাধিক অনুরণন কাঠামোর মধ্যে নন-মেটালিক ভারী পরমাণু সেলেনিয়াম উপাদান এমবেড করে BNSeSe সংশ্লেষিত করেছে এবং কাপলিং উন্নত করতে ভারী পরমাণু প্রভাব ব্যবহার করেছে। উপাদানের একক এবং ট্রিপলেট (S1 এবং T1) অরবিটালের মধ্যে।, যার ফলে অত্যন্ত উচ্চ kRISC (2.0 ×106 s-1) এবং ফটোলুমিনেসেন্স কোয়ান্টাম দক্ষতা (100%)।
আলো-নিঃসরণকারী স্তরের অতিথি উপাদান হিসাবে BNSeSe ব্যবহার করে প্রস্তুতকৃত বাষ্প-জমা OLED ডিভাইসের বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা 36.8% পর্যন্ত উচ্চ, এবং এর কার্যকারিতা রোল-অফ কার্যকরভাবে দমন করা হয়।বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা এখনও m-² উজ্জ্বলতায় 21.9% পর্যন্ত উচ্চ, যা ইরিডিয়াম এবং প্ল্যাটিনামের মতো ফসফরেসেন্ট পদার্থের সাথে তুলনীয়।উপরন্তু, প্রথমবারের মতো, তারা সংবেদনশীল হিসাবে একাধিক অনুরণন-টাইপ TADF উপকরণ ব্যবহার করে সুপারফ্লুরোসেন্ট OLED ডিভাইস তৈরি করেছে।স্বচ্ছ LED ডিভাইস.ডিভাইসটির সর্বোচ্চ বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা 40.5% এবং 1000 cd m-² উজ্জ্বলতায় বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা 32.4%।এমনকি 10,000 cd m-² উজ্জ্বলতায়, বাহ্যিক কোয়ান্টাম দক্ষতা এখনও 23.3% এর মতো উচ্চ, সর্বোচ্চ শক্তি দক্ষতা 200 lm W-1 ছাড়িয়েছে, এবং সর্বাধিক উজ্জ্বলতা 200,000 cd m-² এর কাছাকাছি।
এই কাজটি এমআর-টিএডিএফ ইলেক্ট্রোলুমিনেসেন্ট ডিভাইসগুলির দক্ষতা রোল-অফ সমস্যা সমাধানের একটি নতুন ধারণা এবং একটি কার্যকর উপায় প্রদান করে, যার উচ্চ-সংজ্ঞা প্রদর্শনে দুর্দান্ত প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।সম্পর্কিত ফলাফল আন্তর্জাতিক খ্যাতিসম্পন্ন জার্নাল নেচার ফটোনিক্স-এ "দক্ষ সেলেনিয়াম-ইন্টিগ্রেটেড TADF OLEDs উইথ রিসড রোল-অফ" শিরোনামে প্রকাশিত হয়েছিল ("নেচার ফটোনিক্স", ইমপ্যাক্ট ফ্যাক্টর 39.728, চাইনিজ একাডেমি অফ সায়েন্সেসের JCR জেলা 1, র্যাঙ্কিং প্রথম আলোকবিজ্ঞানের ক্ষেত্রে)।
ইউএসটিসি পেরোভস্কাইট এলইডি এবং লাইট-এমিটিং ডিভাইস গবেষণার ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি করেছে
পেরভস্কাইট উপকরণগুলির চমৎকার অপটোইলেক্ট্রনিক বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে সৌর কোষ, এলইডি এবং ফটোডিটেক্টরগুলির ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।পেরভস্কাইট ফিল্মগুলির ফিল্ম গঠনের গুণমান এবং মাইক্রোস্ট্রাকচার অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির কর্মক্ষমতাতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।পেরোভস্কাইটের পৃষ্ঠে গঠিত ন্যানোস্ট্রাকচারটি পাতলা ফিল্মের পৃষ্ঠে ফোটনের বিক্ষিপ্ততা বাড়ায়, পেরোভস্কাইট এলইডি ডিভাইসের কার্যকারিতা সীমাতে একটি অগ্রগতি অর্জন করে।সম্পর্কিত ফলাফলগুলি "কৃত্রিমভাবে গঠিত ন্যানোস্ট্রাকচার সহ পেরোভস্কাইট আলো-নিঃসরণকারী ডায়োডের আউটকাপলিং সীমা অতিক্রম করা" শিরোনামে উন্নত সামগ্রীতে প্রকাশিত হয়েছিল।
পেরোভস্কাইট এলইডি-তে টিউনযোগ্য নির্গমন তরঙ্গদৈর্ঘ্য, সংকীর্ণ নির্গমন অর্ধ-শিখর প্রস্থ এবং সহজ প্রস্তুতির সুবিধা রয়েছে।পেরোভস্কাইট এলইডিগুলির ডিভাইস কার্যকারিতা বর্তমানে প্রধানত আলো নিষ্কাশন দক্ষতা দ্বারা সীমাবদ্ধ।অতএব, ডিভাইসের আলো নিষ্কাশন দক্ষতা বৃদ্ধি একটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ গবেষণা দিক।ভিতরেজৈব LEDs এবং কোয়ান্টাম ডট LEDs, অতিরিক্ত আলো নিষ্কাশন স্তরগুলি সাধারণত ফোটন নিষ্কাশন বাড়াতে প্রয়োজন, যেমন ফ্লাই-আই লেন্স অ্যারে, বায়োমিমেটিক মথ-আই ন্যানোস্ট্রাকচার এবং লো-প্রতিসরাঙ্ক-সূচক কাপলিং স্তরগুলির ব্যবহার।যাইহোক, এই পদ্ধতিগুলি ডিভাইস তৈরির প্রক্রিয়াটিকে আরও জটিল করে তোলে এবং উত্পাদন খরচ বাড়িয়ে তোলে।
Xiao Zhengguo-এর গবেষণা গোষ্ঠী এমন একটি পদ্ধতির প্রতিবেদন করেছে যা পেরোভস্কাইট পাতলা ছায়াছবির পৃষ্ঠে স্বতঃস্ফূর্তভাবে একটি টেক্সচারযুক্ত কাঠামো তৈরি করতে পারে,এবং আলো নিষ্কাশন উন্নতপেরোভস্কাইটের দক্ষতা
পাতলা ফিল্ম পৃষ্ঠের উপর ফোটন বিক্ষিপ্ত বৃদ্ধি দ্বারা LEDs.ফিল্ম প্রস্তুতির সময়, ফিল্ম পৃষ্ঠে অ্যান্টি-সলভেন্টের বসবাসের সময় নিয়ন্ত্রণ করে, পেরোভস্কাইটের স্ফটিককরণ প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ করা যায়, যার ফলে একটি টেক্সচারযুক্ত পৃষ্ঠ হয়।1.5 μm গড় বেধের ফিল্মগুলির জন্য, পৃষ্ঠের রুক্ষতা ক্রমাগত 15.3 nm থেকে 241 nm পর্যন্ত নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে এবং ধোঁয়া অনুরূপভাবে 6% থেকে 90% এর বেশি পর্যন্ত বৃদ্ধি পায়।
ফিল্ম পৃষ্ঠে ফোটন বিক্ষিপ্তকরণের বৃদ্ধি থেকে উপকৃত হয়ে, টেক্সচার্ড স্ট্রাকচার সহ পেরোভস্কাইট এলইডিগুলির আলো নিষ্কাশন দক্ষতা প্ল্যানার পেরোভস্কাইট এলইডিগুলির 11.7% থেকে 26.5% পর্যন্ত বৃদ্ধি পেয়েছে এবং এর সংশ্লিষ্ট ডিভাইসের দক্ষতাperovskite LEDsএছাড়াও 10% থেকে বৃদ্ধি পেয়েছে।% উল্লেখযোগ্যভাবে বেড়ে 20.5% হয়েছে।উপরের কাজটি পেরোভস্কাইট অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য আলো-নিষ্কাশন ন্যানোস্ট্রাকচার তৈরি করার জন্য একটি নতুন পদ্ধতি সরবরাহ করে।মাইক্রো-ন্যানো স্ট্রাকচার সহ পেরোভস্কাইট ফিল্মটি স্ফটিক সিলিকন সৌর কোষের টেক্সচার্ড আকারবিদ্যার অনুরূপ, যা পেরোভস্কাইট সৌর কোষগুলির আলো শোষণের দক্ষতা এবং কর্মক্ষমতা উন্নত করবে বলে আশা করা হচ্ছে।
পোস্টের সময়: নভেম্বর-০৭-২০২২